Hľadaj Zobraz: Univerzity Kategórie Rozšírené vyhľadávanie

45 033   projektov
0 nových

Elektronika 1

«»
Prípona
.pdf
Typ
skriptá
Stiahnuté
142 x
Veľkosť
1,5 MB
Jazyk
slovenský
ID projektu
18050
Posledná úprava
13.05.2011
Zobrazené
1 596 x
Autor:
klop777
Facebook icon Zdieľaj na Facebooku
Detaily projektu
Popis:
Skriptá ELEKTRONIKA 1 sú svojim obsahom určené pre študentov 2. ročníka Elektrotechnickej fakulty Žilinskej univerzity v Žiline. Dobré služby môžu poskytnúť aj ostatným záujemcom, ktorí chcú získať základné vedomosti širokého spektra teoretických a praktických problémov v elektronike. Pri štúdiu sa predpokladajú všeobecné vedomosti z fyziky polovodičov a teoretickej elektrotechniky. © Jozef Čuntala, 2004

Kľúčové slová:

elektronika

polovodiče

tranzistory

napätia

prúd

zosilňovače



Obsah:
  • OBSAH
    1 REKAPITULÁCIA FYZIKÁLNYCH POZNATKOV O
    POLOVODIČOCH A PN PRIECHODE ............................................9
    1.1 Fermi - Diracova rozdeľovacia funkcia......................................................................9
    1.2 Driftový a difúzny prúd .............................................................................................9
    1.3 Difúzna dĺžka ..........................................................................................................10
    1.4 Einsteinov vzťah......................................................................................................10
    1.5 Vzťah koncentrácie ne a nd .....................................................................................10
    1.6 PN priechod ............................................................................................................10
    1.7 Voltampérová charakteristika ideálneho PN priechodu a diódová rovnica .............12
    1.8 Prerazenie PN priechodu........................................................................................13
    2 POLOVODIČOVÉ DIÓDY...............................................................15
    2.1 Statický a dynamický odpor diódy...........................................................................15
    2.2 Parazitná kapacita polovodičovej diódy ..................................................................15
    2.3 Druhy polovodičových diód .....................................................................................15
    2.3.1 Varikap....................................................................................................................15
    2.3.2 Stabilizačné diódy ...................................................................................................16
    2.3.3 Usmerňovacie diódy ...............................................................................................17
    2.3.4 Schottkyho diódy.....................................................................................................18
    3 BIPOLÁRNE TRANZISTORY .......................................................19
    3.1 Tranzistorový efekt.................................................................................................19
    3.2 Základné zapojenia tranzistorového zosilňovača....................................................21
    3.3 Jednosmerné charakteristiky tranzistora.................................................................22
    3.4 Pracovné oblasti bipolárneho tranzistora, medzné stavy........................................24
    3.5 Parametre tranzistora pri budení striedavým signálom..........................................25
    3.6 Dynamické vlastnosti bipolárneho tranzistora........................................................27
    4 TRANZISTORY OVLÁDANÉ ELEKTRICKÝM POĽOM...............31
    4.1 Charakteristické vlastnosti FET tranzistorov...........................................................31
    4.2 Rozdelenie FET tranzistorov...................................................................................32
    4.3 Princípy činnosti JFET- tranzistora a IGFET- tranzistora........................................32
    4.3.1 Princíp činnosti poľom ovládaného tranzistora s hradlom oddeleným PN
    priechodom (JFET) .................................................................................................32
    4.3.2 Princíp činnosti FET s hradlom oddeleným dielektrikom (IGFET - MISFET
    prípadne MOSFET) ................................................................................................33
    4.4 Obvodové aplikácie tranzistorov ovládaných poľom...............................................34
    4.4.1 Unipolárny tranzistor zosilňujúci malé signály.........................................................34
    4.4.2 Obvod napäťového sledovača ................................................................................35
    4.4.3 Invertor CMOS........................................................................................................36
    4.4.4 Ďalšie typy unipolárnych štruktúr ............................................................................37
    ...

Zdroje:
  • Jozef Čuntala